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IPB029N06N3 G /MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB029N06N3 G的规格信息
IPB029N06N3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:2.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:165 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:188 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:75 S

下降时间:20 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:120 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:62 ns

典型接通延迟时间:35 ns

零件号别名:IPB029N06N3GATMA1 IPB29N6N3GXT SP000453052

单位重量:2 g

供应商IPB029N06N3 G
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB029N06N3 G华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
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深圳市芯幂科技有限公司IPB029N06N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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集好芯城IPB029N06N3 G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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集好芯城IPB029N06N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IPB029N06N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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13352985419,19076157484
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司IPB029N06N3 G深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F1919854773352
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深圳市斌腾达科技有限公司IPB029N06N3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
13049883113
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IPB029N06N3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V1000+:¥7.6701
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Mouser 贸泽电子
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